1. Bei der Gasphasenabscheidung von III-V-Halbleiter-Schichten mit einer Mischung der III-Komponente entstehen in Abhängigkeit von den Abscheidebedingungen in ausgezeichneten kristallographischen Richtungen partiell geordnete Monolagen-Supergitter. ( Quelle: Forschungsbericht Uni Leipzig）