1. Im Vergleich zum konventionellen Si -Transistor sind durch SiGe- Heterobipolar-Transistoren (HBT) verbesserte Eigenschaften (höhere Grenzfrequenzen, geringeres Rauschen usw.) bei einfacher Integration in eine Si-Bauelemente- Technologie zu realisieren. ( Quelle: bmb+f Forschungslandkarte Deutschland 1998）