1. Struktur und Eigenschaften der Grenzflächen von Alkanthiolschichten auf verschiedenen Verbindungshalbleitern (GaAS und InP) sollen aufgeklärt werden. ( Quelle: Forschungsbericht Uni Leipzig）
2. Und da Aixtron heute mit einem Anteil von über 50 Prozent mit Abstand der Weltmarktführer bei der Entwicklung und dem Bau von Beschichtungsanlagen für die Produktion von Verbindungshalbleitern ist, sind die Markteintrittsbarrieren für Wettbewerber hoch. ( Quelle: DIE WELT 2000）